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　　公司表示，公司利润表现不及营收的主要原因有，公司持有的其他非流动金融资产中昱能科技、安路科技股票价格下跌，导致其公允价值变动产生的税后净收益为-1.62亿元。下游电动汽车、新能源市场竞争加剧，部分产品毛利率降低。此外，由于6英寸SiC产线尚处爬坡期，产线折旧固定成本相对较高。公司为应对市场变化，进一步推出更高性能和更优成本的产品，持续加大产品研发力度，报告期研发费用为4.87亿元，同比增长34%，营收占比为9.24%。

　　半年报显示，基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件、MOSFET器件已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。

　　除了硅基功率芯片之外，碳化硅器件更适应新能源汽车增加续航里程、高压快充、提高电池容量、降低续航焦虑的需求，是800V平台的“必选产品”。2024年上半年，基于公司自主研发的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过吉利、汇川等客户验证，并开始实现批量生产和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司正在加快产能建设和升级，尽快将第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET芯片导入量产。

　　为满足下游需求，公司正在加快车规级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产6000片6吋SiC MOS芯片的生产能力，预计三季度末产能将达到9000片/月，预计2024年年底产能将达到1.2万片/月。今年5月，公司与厦门市海沧区签署《战略合作框架协议》，各方合作建设一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线亿元，两期建设完成后，将形成年产72万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。本次合作是士兰微电子积极响应国家战略，加快发展汽车半导体关键芯片的重大举措。

　　公司表示，作为国内领先的半导体IDM公司，虽然资产偏重，在经济周期变化下承担经营利润波动的压力，但是在特色工艺和产品的研发上具有更突出的竞争优势：实现了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及集成电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片的协同发展。当前，电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快，士兰微电子将加快实施“一体化”战略，持续推动满足车规级和工业级要求的器件和电路在各生产线上量，持续推动士兰微整体营收的较快成长和经营效益的提升。